GaN4AP

Il progetto GaN4AP ha l'ambizioso obiettivo di estendere l'elettronica di potenza basata su tecnologia GaN a tutti i convertitori di potenza, con la possibilità di sviluppare sistemi elettronici di potenza con perdite di energia prossime allo zero.

Il progetto GaN4AP:

• Svilupperà sistemi elettronici di potenza innovativi per la conversione e la gestione dell'energia con architetture e topologie avanzate basate su transistor GaN ad alta mobilità elettronica (HEMT) disponibili in nuove soluzioni di packaging ad alta frequenza che possono raggiungere il 99% di efficienza nella conversione di potenza.
• Svilupperà un materiale innovativo (nitruro di scandio di alluminio, AlScN) che, combinato con soluzioni avanzate di crescita e processo, può fornire proprietà fisiche eccezionali per transistor di potenza ad alta efficienza. Pertanto, verrà realizzata una nuova architettura di dispositivi HEMT con una corrente (2x) e una densità di potenza (2x) molto più elevate rispetto ai transistor esistenti.
• Svilupperà una nuova generazione di dispositivi verticali basati su GaN di potenza su architettura MOSFET con canale di inversione verticale p-GaN per garantire sicure commutazioni  dei dispositivi con bus DC a 1200 V. Si coprirà tutta la catena di produzione dalla progettazione, sviluppo e caratterizzazione dei dispositivi fino ai test in moduli di potenza a semiponte a bassa induttanza e la loro implementazione in sistemi di conversione di potenza con elevate frequenze di commutazione.
• Svilupperà nuove soluzioni GaN intelligenti e integrate (STi2GaN) sia nelle varianti System in Package (SiP) che Monolitiche, che consentiranno la generazione di convertitori di potenza per la E-Mobility.

Lo sviluppo di nuove tecnologie di dispositivi e circuiti di alimentazione innovativi, che utilizzano dispositivi basati su GaN, è un fattore cruciale per la competitività mondiale delle industrie dell'UE.